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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29JL032H60TAI420 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| 封裝： | MO-142DD, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 51/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1556K |
| 代理商： | S29JL032H60TAI420 |
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2005
年
3
月
9
日
S29JL032HA11
S29JL032H
51
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
AC
特性
リードオンリ動(dòng)作（注
1
）
注
:
1.
各パラメータの詳細(xì)なタイミングについてはタイミング図を參照してください。
2.
テスト仕様については，図
11
および表
15
を參照してください。
3.
データ端子に
50
Ω の終端抵抗を接続し，バイアス電圧
V
CC
/ 2
の條件で測(cè)定。
OE# High
から
V
CC
/ 2
駆動(dòng)のデータバスまでの
時(shí)間を
t
DF
と想定。
.
パラメータ
説明
測(cè)定條件
スピードバージョン
JEDEC
標(biāo)準(zhǔn)
60
70
90
単位
t
AVAV
t
RC
リードサイクルタイム
最小値
60
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
アドレスから出力までの遅延
CE#,
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
ELQV
t
CE
チップイネーブルからデータ出力までの遅延
OE# = V
IL
最大値
60
70
90
ns
t
GLQV
t
OE
出力イネーブルから出力までの遅延
最大値
25
30
35
ns
t
EHQZ
t
DF
チップイネーブルから出力高インピーダンスまで
（注
3
）
最大値
16
ns
t
GHQZ
t
DF
出力イネーブルから出力高インピーダンスまで
（注
3
）
最大値
16
ns
t
AXQX
t
OH
前サイクルデータ出力保持時(shí)間，
CE#
または
OE#
（いずれか早い方）
最小値
0
ns
t
OEH
出力イネーブル保持時(shí)間
リード
最小値
0
ns
トグルおよび
Data#
ポーリング
最小値
5
10
ns
t
OH
t
CE
WE#
CE#
OE#
HIGH Z
HIGH Z
t
RC
t
ACC
t
OEH
t
RH
t
OE
t
RH
0 V
RY/BY#
RESET#
t
DF
図
13.
リード動(dòng)作タイミング
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI421 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI422 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI423 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI413 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI420 | 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29JL032H60TAI421 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI422 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TAI423 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI010 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
| S29JL032H60TFI011 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY |
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