參數(shù)資料
型號: S29JL032H60TAI313
廠商: SPANSION LLC
元件分類: DRAM
英文描述: 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
封裝: MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù): 6/66頁
文件大?。?/td> 1556K
代理商: S29JL032H60TAI313
6
S29JL032H
S29JL032HA11 2005
3
9
A D V A N C E I N F O R M A T I O N
わずか
6
種類の機能のいずれかを呼び出すだけで,フラッシュメモリへアクセスできるよ
うになります。
本デバイスは,
JEDEC 42.4
ています。
コマンドは,標準的なマイクロプロセッサのライトタイミングでコマンドレジ
スタに書込まれます。データのリードは,一般のフラッシュメモリや
EPROM
からのリー
ドと同様です。
単一電源フラッシュコマンドセット規(guī)格と完全互換性を持っ
ホストシステムは,
RY / BY#
端子,
DQ7
Data#
ポーリング),
DQ6 / DQ2
(トグル
ビット)といった本デバイスの
ステータスビット
を調(diào)べることにより,プログラムまたは
イレーズ動作が完了したかを検出することができます。プログラムまたはイレーズサイク
ルが完了すると,デバイスは自動的にリードモードに戻ります。
セクタイレーズアーキテクチャ
により,他のセクタに保持されているデータ內(nèi)容を変更す
ることなく,メモリセクタをイレーズし,再プログラミングすることができます。工場出
荷時には,すべてのセクタが消去されています。
ハードウェアデータのプロテクト
手段として,電圧変動時のライト動作を自動的に禁止す
る低電圧
V
CC
検出回路を用意しています。
ハードウェアセクタプロテクト
機能は,メモリ
內(nèi)の任意のセクタの組合せに対して,プログラムとイレーズ動作を禁止することができま
す。この機能は,システム內(nèi)だけでなく,プログラミング裝置からも実行できます。
2
種類の省電力機能を搭載しています。あらかじめ設定した時間にわたってアドレスが変
更されない場合,デバイスは
オートマチックスリープモード
に入ります。デバイスを
ンバイモード
にすることもできます。両モードにより,消費電力が著しく軽減されます。
スタ
相關PDF資料
PDF描述
S29JL032H60TAI320 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI321 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI322 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI323 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI410 32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S29JL032H60TAI320 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI321 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
S29JL032H60TAI322 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:32M BIT CMOS 3.0V FLASH MEMORY
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