參數(shù)資料
型號： S29GL256M10FFIR23
廠商： SPANSION LLC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64
封裝： 18 X 12 MM, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-64
文件頁數(shù)： 152/160頁
文件大?。?/td> 2142K
代理商： S29GL256M10FFIR23
152
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
FBA048—48-Pin 6.15 x 8.15 mm package
Dwg rev AF; 10/99
相關PDF資料
PDF描述
S29GL064M90BDIR02 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR03 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL064M90BDIR10 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 25; Pch : 30; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.036; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 2200; toff (µs) typ: 0.11; Package: TO-220FN
S29GL064M90BDIR12 MOSFET, Switching; VDSS (V): 200; ID (A): 96; Pch : 150; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.02; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 4900; toff (µs) typ: 0.22; Package: TO-3P
S29GL064M90BDIR13 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S29GL256M10TAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray
S29GL256M11FAIR10 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256M11FAIR12 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays
S29GL256M11FAIR2 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA
S29GL256M11FAIR20 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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