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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256M10FFIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 18 X 12 MM, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 100/160頁 |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL256M10FFIR10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁當(dāng)前第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
100
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Table 29. Device Geometry Definition
Addresses
(x16)
Addresses
(x8)
Data
Description
27h
4Eh
0019h
0018h
0017h
0016h
Device Size = 2
N
byte
19 = 256 Mb, 18 = 128 Mb, 17 = 64 Mb, 16 = 32 Mb
28h
29h
50h
52h
000xh
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
0000h = x8-only bus devices
0001h = x16-only bus devices
0002h = x8/x16 bus devices
2Ah
2Bh
54h
56h
0005h
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ch
58h
0001h
0002h
Number of Erase Block Regions within device (01h = uniform device,
02h = boot device)
2Dh
2Eh
2Fh
30h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
00xxh
000xh
00x0h
000xh
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
003Fh, 0000h, 0001h = 32 Mb (-R0, -R3, -R4)
007Fh, 0000h, 0020h, 0000h = 32 Mb (-R1, -R2), 64 Mb (-R1, -R2)
007Fh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (-R0, -R3, -R4, -R5, -R6, -R7)
00FFh, 0000h, 0000h, 0001h = 128 Mb
00FFh, 0001h, 0000h, 0001h = 256 Mb
31h
32h
33h
34h
60h
64h
66h
68h
00xxh
0000h
0000h
000xh
Erase Block Region 2 Information (refer to CFI publication 100)
003Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 32 Mb (-R1, -R2)
007Eh, 0000h, 0000h, 0001h = 64 Mb (-R1, -R2)
0000h, 0000h, 0000h, 0000h = all others
35h
36h
37h
38h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 3 Information (refer to CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
72h
74h
76h
78h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information (refer to CFI publication 100)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256M10FFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10TAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL256M10TAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL256M11FAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256M11FAIR12 | 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays |
| S29GL256M11FAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA |
| S29GL256M11FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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