- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385803 > S29GL256M10FAIR22 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256M10FAIR22 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 18 X 12 MM, FORTIFIED, BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 106/160頁 |
| 文件大?。?/td> | 2142K |
| 代理商： | S29GL256M10FAIR22 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁當前第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁
106
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
P r e l i m i n a r y
Accelerated Program
The device offers accelerated program operations through the WP#/ACC or ACC
pin depending on the particular product. When the system asserts V
HH
on the
WP#/ACC or ACC pin. The device uses the higher voltage on the WP#/ACC or ACC
pin to accelerate the operation.
Note that the
WP#/
ACC pin must not be at V
HH
for operations other than accelerated programming, or device damage may re-
sult. WP# has an internal pullup; when unconnected, WP# is at V
IH
.
Figure 3 illustrates the algorithm for the program operation. Refer to the Erase
and Program Operations–“AC Characteristics” section on page 124 section for pa-
rameters, and Figure 14 for timing diagrams.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256M10FAIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL256M10FFIR20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL256M10TAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray |
| S29GL256M11FAIR10 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256M11FAIR12 | 制造商:Spansion 功能描述:256M (32MX8/16MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA64 IND - Trays |
| S29GL256M11FAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash, 16M x 16, 64 Pin, Plastic, BGA |
| S29GL256M11FAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。