- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄359756 > S29GL128P11TFIR10 (SPANSION LLC) 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P11TFIR10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 53/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11TFIR10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當前第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁
November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
53
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Figure 11.2
Maximum Positive Overshoot Waveform
11.2
Operating Ranges
Notes
1. Operating ranges define those limits between which the functionality of the device is guaranteed.
2. See also
Ordering Information on page 9
.
3. For valid V
CC
/V
IO
range combinations, see
Ordering Information on page 9
. The I/Os do not operate at 3 V when V
IO
= 1.8 V.
11.3
Test Conditions
Figure 11.3
Test Setup
20 n
s
20 n
s
20 n
s
V
CC
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
+2.0 V
Specifications
Range
Ambient Temperature (TA), Industrial (I) Device
–40°C to +85°C
Supply Voltages
V
CC
+2.7 V to 3.6 V or
+3.0 V to 3.6 V
V
IO
Supply Voltages
V
IO
+1.65 V to V
CC
C
L
Device
Under
Test
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TFIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIR12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P90FAIV10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TFIV10 | 功能描述:閃存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV13 | 功能描述:閃存 128M 3.0V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV20 IC 128M PAGE-MODE |
| S29GL128P11TFIV23 | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV23 IC 128M PAGE-MODE |
| S29GL128P90FAIR10 | 功能描述:閃存 128MB 3.0-3.6V 90ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。