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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL064N90TFI072 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO56 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 13/79頁 |
| 文件大小： | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N90TFI072 |
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November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
13
D a t a
S h e e t
4.
Pin Descriptions
Pin
Description
A21–A0
22 Address inputs (S29GL064N)
A20–A0
21 Address inputs (S29GL032N)
DQ7–DQ0
8 Data inputs/outputs
DQ14–DQ0
15 Data inputs/outputs
DQ15/A-1
DQ15 (Data input/output, word mode), A-1 (LSB Address input, byte mode)
CE#
Chip Enable input
OE#
Output Enable input
WE#
Write Enable input
WP#/ACC
Hardware Write Protect input/Programming Acceleration input
ACC
Acceleration input
WP#
Hardware Write Protect input
RESET#
Hardware Reset Pin input
RY/BY#
Ready/Busy output
BYTE#
Selects 8-bit or 16-bit mode
V
CC
3.0 volt-only single power supply (see
Product Selector Guide
for speed options and
voltage supply tolerances)
V
IO
V
SS
NC
Output Buffer Power
Device Ground
Pin Not Connected Internally
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N90TFIV10 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV12 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV20 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV22 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N90TFIV60 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064N90TFI073 | 制造商:Spansion 功能描述:IC 64M PAGE-MODE FLASH MEMORY - Tape and Reel |
| S29GL064S70BHI030 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 |
| S29GL064S70BHI040 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-FBGA（8.15x6.15） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:338 |
| S29GL064S70FHI010 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180 |
| S29GL064S70FHI020 | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:64M（4M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:64-LBGA 供應(yīng)商器件封裝:64-FBGA（11x13） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:180 |
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