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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064N11TFI030 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 64兆，32兆位3.0伏只頁面模式閃存具有110納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 71/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 2191K |
| 代理商： | S29GL064N11TFI030 |
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November 16, 2007 S29GL-N_01_09
S29GL-N MirrorBit
Flash Family
71
D a t a
S h e e t
Notes
1. Not 100% tested.
2. See the
Erase And Programming Performance on page 73
for more information.
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. If a program suspend command is issued within t
POLL
, the device requires t
POLL
before reading status data, once programming resumes (that is, the program
resume command is written). If the suspend command was issued after t
POLL
, status data is available immediately after programming resumes. See
Figure 15.11
on page 72
.
Table 15.4
Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Parameter
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
90
110
t
AVAV
t
AVWL
t
ELAX
t
DVEH
t
EHDX
t
GHEL
t
WLEL
t
EHWH
t
ELEH
t
EHEL
t
WC
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
GHEL
t
WS
t
WH
t
CP
t
CPH
Write Cycle Time
(Note 1)
Min
90
110
ns
Address Setup Time
Min
0
ns
Address Hold Time
Min
45
ns
Data Setup Time
Min
45
ns
Data Hold Time
Min
0
ns
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
WE# Setup Time
Min
0
ns
WE# Hold Time
Min
0
ns
CE# Pulse Width
Min
35
ns
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes
2
,
3
)
Typ
240
μs
Single Word Program Operation
(Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation
(Note 2)
Typ
54
t
WHWH2
t
WHWH2
t
RH
Sector Erase Operation
(Note 2)
Typ
0.5
sec
RESET# High Time Before Write
Min
50
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFI032 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
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| S29GL064N11TFI042 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFI060 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL064N11TFI062 | 64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064N11TFIV10 | 功能描述:閃存 64Mb 3V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV13 | 制造商:Spansion 功能描述:FLASH MEMORY - Trays |
| S29GL064N11TFIV20 | 功能描述:閃存 64MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL064N11TFIV73 | 制造商:Spansion 功能描述:64M (4MX16) 3V REG, MIRRORBIT, FBGA63, IND - Tape and Reel |
| S29GL064N11WEI039 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL064N KNOWN GOOD DIE IN WAFER FORM, 64 MBIT, - Trays |
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