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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL064M90BDIR22 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | MOSFET, Switching; VDSS (V): 230; ID (A): 35; Pch : -; RDS (ON) typ. (ohm) @10V: 0.03; RDS (ON) typ. (ohm) @4V[4.5V]: -; RDS (ON) typ. (ohm) @2.5V: -; Ciss (pF) typ: 5200; toff (µs) typ: -; Package: TO-3PFM |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有0.23微米工藝技術的MirrorBit |
| 文件頁數(shù)： | 155/160頁 |
| 文件大小： | 2142K |
| 代理商： | S29GL064M90BDIR22 |
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April 30, 2004 S29GLxxxM_00A5
S29GLxxxM MirrorBit
TM
Flash Family
155
P r e l i m i n a r y
Physical Dimensions
FPT-48P-M19
+.003
–
0.08
+0.03
.007
0.17
"A"
(Stand off height)
0.10(.004)
(Mounting
height)
(.472
±
.008)
12.00
±
0.20
LEAD No.
48
25
24
1
(.004
±
.002)
0.10(.004)
M
1.10
.043
+0.10
–
0.05
+.004
0.10
±
0.05
(.009
±
.002)
0.22
±
0.05
(.787
±
.008)
18.40
±
0.20
20.00
±
0.20
(.724
±
.008)
INDEX
0~8
0.25(.010)
0.50(.020)
0.60
±
0.15
(.024
±
.006)
Details of "A" part
*
*
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL064M90BDIR23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BDIR30 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BDIR32 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BDIR33 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL064M90BFIR00 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL064M90FAIR40 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL064M90FFIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR00 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8 90ns 48-Pin TSOP Tray |
| S29GL064M90TAIR2 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL064M90TAIR20 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 64M-Bit 8M x 8/4M x 16 90ns 56-Pin TSOP Tray |
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