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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL032M10TFCR22 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Ceramic Capacitor Sample Kit, High Voltage |
| 中文描述： | MirrorBit閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 48/159頁 |
| 文件大?。?/td> | 5216K |
| 代理商： | S29GL032M10TFCR22 |
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Octorber 18, 2004 S29GLxxxM_00_B3
S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family
141
Da tash eet
Erase and Programming Performance
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0V, 10,000 cycles; checkerboard data pattern.
2. Under worst case conditions of 90
°C; Worst case VCC, 100,000 cycles.
3. Effective programming time (typ) is 15 s (per word), 7.5 s (per byte).
4. Effective accelerated programming time (typ) is 12.5 s (per word), 6.3 s (per byte).
5. Effective write buffer specification is calculated on a per-word/per-byte basis for a 16-word/32-byte write buffer operation.
6. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bits are programmed to 00h before erasure.
7. System-level overhead is the time required to execute the command sequence(s) for the program command. See Table 35 on page 113 and
Table 36 on page 114 for further information on command definitions.
Parameter
Typ (Note 1)
Max
(Note 2)
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.5
3.5
sec
Excludes
00h
programm
ing prior to
erasure
Note (6)
Chip Erase Time
S29GL032M
32
64
sec
S29GL064M
64
128
S29GL128M
128
256
S29GL256M
256
512
240
s
Excludes
system
level
overhead
Note (7)
Total Accelerated Effective Write Buffer Program Time Notes (4),
200
s
Chip Program Time
S29GL032M
31.5
sec
S29GL064M
63
S29GL128M
126
S29GL256M
252
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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