參數(shù)資料
型號(hào): S29GL032M10TAIR22
廠商: SPANSION LLC
元件分類: PROM
英文描述: MirrorBit Flash Family
中文描述: 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PDSO56
封裝: MO-142-EC, TSOP-56
文件頁(yè)數(shù): 20/160頁(yè)
文件大?。?/td> 4727K
代理商: S29GL032M10TAIR22
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S29GLxxxM MirrorBitTM Flash Family
S29GLxxxM_00A5 April 30, 2004
Pr e l i m i n a r y
Figure 7. Data# Polling Algorithm
RY/BY#: Ready/Busy#
The RY/BY# is a dedicated, open-drain output pin which indicates whether an
Embedded Algorithm is in progress or complete. The RY/BY# status is valid after
the rising edge of the final WE# pulse in the command sequence. Since RY/BY#
is an open-drain output, several RY/BY# pins can be tied together in parallel with
a pull-up resistor to VCC.
If the output is low (Busy), the device is actively erasing or programming. (This
includes programming in the Erase Suspend mode.) If the output is high (Ready),
the device is in the read mode, the standby mode, or in the erase-suspend-read
mode. Table 33 shows the outputs for RY/BY#.
DQ7 = Data?
Yes
No
DQ5 = 1?
No
Yes
FAIL
PASS
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
Read DQ15–DQ0
Addr = VA
DQ7 = Data?
START
Notes:
1. VA = Valid address for programming. During a sector
erase operation, a valid address is any sector address
within the sector being erased. During chip erase, a
valid address is any non-protected sector address.
2. DQ7 should be rechecked even if DQ5 = “1” because
DQ7 may change simultaneously with DQ5.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL032M10TAIR32 MirrorBit Flash Family
S29GL032M10TAIR42 CAP .1UF 1000V CER 10% X7R RADL
S29GL032M11TCIR42 2M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO48
S29GL064A10BAIW12 4M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64
S29GL128N11FAIVH0 16M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64
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S29GL032M10TAIR40 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:256,128,64,32,Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 レm MirrorBit Process Technology