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參數資料
| 型號： | S0602xH |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Sensitive Gate SCR(硅控整流管) |
| 中文描述： | 靈敏柵極可控硅（硅控整流管） |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | S0602XH |
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
1
2
3
4
5
6
P (W)
= 180
o
= 120
o
= 90
o
= 60
o
= 30
o
DC
I
(A)
T(AV)
360
O
Fig.1 :
Maximum average power dissipation ver-
sus averageon-statecurrent.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
0
1
2
3
4
5
6
7
I
(A)
T(AV)
= 180
o
DC
Tcase ( C)
Fig.3 :
Averageon-state current versus case tem-
perature.
Igt
Ih
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.040
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
Igt[Tj]
Igt[Tj=25 C]
Ih[Tj]
Ih[Tj=25 C]
Fig.5:
Relativevariationof gatetriggercurrent and
holdingcurrent versus junction temperature.
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
2
3
4
5
6
-100
-105
-110
-115
-120
-125
P (W)
Tcase ( C)
o
Rth = 0 C/W
5 C/W
10 C/W
15 C/W
= 180
o
Tamb ( C)
Fig.2 :
Correlation between maximum average
power dissipation and maximum allowable tem-
perature (Tamb and Tcase) for different thermal
resistancesheatsink+ contact.
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
0.01
0.1
1
Zth/Rth
Zth(j-c)
Zth(j-a)
tp(s)
Fig.4 :
Relative variation of thermal impedance
versuspulse duration.
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
Tj initial = 25 C
Number of cycles
I
(A)
TSM
Fig.6 :
Non repetitivesurge peak on-state current
versusnumber of cycles.
S0602xH
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| S06030R5BGSE | 制造商:AEC 功能描述: |
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