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STW28NM50N

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STW28NM50N 技術(shù)參數(shù)
  • STW28NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):264nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6350pF @ 25V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW28N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1440pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW27NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW30NM60D STW30NM60N STW30NM60ND STW31N65M5 STW32N65M5 STW32NM50N STW33N60DM2 STW33N60M2 STW34N65M5 STW34NB20 STW34NM60N STW34NM60ND STW-350F188PR01-04 STW35N60DM2 STW35N65M5 STW36N55M5 STW36N60M6 STW36NM60N
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