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STW30N80K5

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  • STW30N80K5
    STW30N80K5

    STW30N80K5

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話(huà)：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6006

  • ST/意法半導(dǎo)體

  • TO-247-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票

  • STW30N80K5
    STW30N80K5

    STW30N80K5

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人：蘇小姐

    電話(huà)：0755-82561407

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)4211B

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST(意法)

  • TO-247-3

  • 22+

  • -

  • 全新原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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STW30N80K5 技術(shù)參數(shù)
  • STW30N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:139 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 100V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW30N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1597pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:600 STW3040 功能描述:TRANS NPN 400V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 4A，20A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:18 @ 6A，5V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:- 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW29NK50ZD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:29A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6450pF @ 25V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW29NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 31A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:31A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 15.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:266nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6110pF @ 25V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW33N60M2 STW34N65M5 STW34NB20 STW34NM60N STW34NM60ND STW-350F188PR01-04 STW35N60DM2 STW35N65M5 STW36N55M5 STW36N60M6 STW36NM60N STW36NM60ND STW37N60DM2AG STW38N65M5 STW38N65M5-4 STW38NB20 STW3N150 STW3N170
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