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STS2

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STS2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 手工工具 ECON CABLE TIE TOOL
  • RoHS
  • 制造商
  • Molex
  • 產(chǎn)品
  • Extraction Tools
  • 類型
  • 描述/功能
  • Extraction tool
STS2 技術(shù)參數(shù)
  • STS1TXQTR 功能描述:RF Transmitter ASK, FSK, GFSK, MSK, OOK 169MHz, 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 16dBm 500kbps PCB, Surface Mount Antenna 20-VQFN Exposed Pad 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 頻率:169MHz,315MHz,433MHz,868MHz,915MHz 應(yīng)用:住宅/樓宇自動(dòng)化,工業(yè)控制和監(jiān)控 調(diào)制或協(xié)議:ASK,F(xiàn)SK,GFSK,MSK,OOK 數(shù)據(jù)速率(最大值):500kbps 功率 - 輸出:16dBm 電流 - 傳輸:21mA 數(shù)據(jù)接口:PCB,表面貼裝 天線連接器:PCB,表面貼裝 存儲(chǔ)容量:- 特性:- 電壓 - 電源:1.8 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:20-VQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):250mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 歐姆 @ 400mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):94pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1HNK60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):300mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):450V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):400mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1DN45K3 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):450V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100 STS3DNE60L STS3DPF60L STS3P6F6 STS4C3F60L STS4DNF30L
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