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- 功能描述
- MOSFET DUAL P Ch 80V 0.21 OHM 2.3A
- RoHS
- 否
- 制造商
- STMicroelectronics
- 晶體管極性
- N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓
- 650 V
- 閘/源擊穿電壓
- 25 V
- 漏極連續(xù)電流
- 130 A
- 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
- 0.014 Ohms
- 配置
- Single
- 最大工作溫度
- 安裝風(fēng)格
- Through Hole
- 封裝 / 箱體
- Max247
- 封裝
- Tube
STS2DPF80 技術(shù)參數(shù)
-
STS2DNF30L
功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS26N3LLH6
功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:26A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS25NH3LL-E
功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS25NH3LL
功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS21
功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:汽車級(jí)，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 傳感器類型:數(shù)字，本地 檢測(cè)溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測(cè)溫度 - 遠(yuǎn)程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.1 V ~ 3.6 V 分辨率:14 b 特性:睡眠模式 精度 - 最高（最低）:±0.2°C 測(cè)試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:6-TDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STS4DNF30L
STS4DNF60
STS4DNF60L
STS4DNFS30
STS4DNFS30L
STS4DPF20L
STS4DPF30L
STS4DPFS30L
STS4NF100
STS5DNF20V
STS5DNF60L
STS5DP3LLH6
STS5DPF20L
STS5N15F3
STS5N15F4
STS5NF60L
STS5P3LLH6
STS5PF20V
