STH2

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

3/3頁 40條/頁共110條
上一頁 1 2 3

您是不是要找： STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6

STH2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STH2 PDF下載

功能描述
手工工具 Cable Tie Tool Low Volume
RoHS
否
制造商
Molex
產(chǎn)品
Extraction Tools
類型
描述/功能
Extraction tool

STH2 技術參數(shù)

STH-19 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-32 Male-Female Hex Brass Zinc Plated Threaded Standoff 750 pcs - 50 ea of 1/2", 3/4", 1", 1 1/4", 1 1/2" 制造商:keystone electronics 系列:- 包裝:塑料柜零件狀態(tài):有效套件類型:4-40，6-32，8-32 公型-母型六角形黃銅鍍鋅鏍紋支座數(shù)值:750 件 - 1/2"，3/4"，1"，1 1/4"，1 1/2"，各 50 件標準包裝:1 STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F3 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK-6 標準包裝:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH180N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG STH300NH02L-6 STH310N10F7-2