STF16N60M6

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STF16N60M6
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220F
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

STF16N60M6
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5465
STMicroelectronics
SMD
22+
-
授權(quán)分銷商，可追溯原廠可含稅

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1

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功能描述
N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
制造商
stmicroelectronics
系列
UltraFASTmesh??
零件狀態(tài)
在售
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50

STF16N60M6 技術(shù)參數(shù)

STF16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF16N50M2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:710pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF15NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33.3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:983pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF15NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF15N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:900pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF18N60DM2 STF18N60M2 STF18N65M2 STF18N65M5 STF18NM60N STF18NM60ND STF18NM80 STF19NF20 STF19NM50N STF19NM65N STF20100 STF20100C STF20120C STF20120CR STF20150C STF20150CR STF20200C STF202-22T1