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STF18N60DM2

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  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9736

  • ST(意法)

  • 原裝正品

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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601

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STF18N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STF18N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):550V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):192 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1260pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF17NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1000pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF17N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 15.0A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):340 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):105nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF16NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1200pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STF16NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):235 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):680pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF20100 STF20100C STF20120C STF20120CR STF20150C STF20150CR STF20200C STF202-22T1 STF202-22T1G STF203-15.TCT STF203-22.TCT STF203-33.TCT STF2045C STF2050C STF2060C STF2060CR STF20N20 STF20N60M2-EP
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