STD-101

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STD-101
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
3M
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條
1

您是不是要找： STD10100CTR STD10100TR STD10150TR STD-102 STD105N10F7AG STD1060TR STD10LN80K5 STD10N60DM2 STD10N60M2

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功能描述
電線鑒定 3/8IN WIRE MRKR TAG Refill 18-10awg
RoHS
否
制造商
TE Connectivity / Q-Cees
產(chǎn)品
Labels and Signs
類型
材料
Vinyl
顏色
Blue
寬度
0.625 in
長(zhǎng)度
1 in

STD-101 技術(shù)參數(shù)

STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3940pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD100N3LF3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD100N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4369pF @ 50V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD100N03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STCS2SPR 功能描述:LED照明驅(qū)動(dòng)器 2 A max CC LED DRVR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 輸入電壓:11.5 V to 23 V 工作頻率: 最大電源電流:1.7 mA 輸出電流: 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-16N STD10NF10T4 STD10NF30 STD10NM50N STD10NM60N STD10NM60ND STD10NM65N STD10P10F6 STD10P6F6 STD10PF06-1 STD10PF06T4 STD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N8F6 STD110NH02LT4 STD11N50M2 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N65M2