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STD10100CTR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
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  • 說明
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  • STD10100CTR
    STD10100CTR

    STD10100CTR

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
STD10100CTR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
  • 制造商
  • smc diode solutions
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 二極管配置
  • 1 對共陰極
  • 二極管類型
  • 肖特基
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 電流 - 平均整流(Io)(每二極管)
  • -
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 750mV @ 5A
  • 速度
  • 快速恢復 = 200mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr)
  • -
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 120μA @ 100V
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應商器件封裝
  • DPAK
  • 標準包裝
  • 1
STD10100CTR 技術(shù)參數(shù)
  • STD100NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3940pF @ 15V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD100N3LF3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD100N10F7 功能描述:MOSFET N CH 100V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4369pF @ 50V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD100N03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2060pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STCS2SPR 功能描述:LED照明驅(qū)動器 2 A max CC LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 輸入電壓:11.5 V to 23 V 工作頻率: 最大電源電流:1.7 mA 輸出電流: 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-16N STD10NF30 STD10NM50N STD10NM60N STD10NM60ND STD10NM65N STD10P10F6 STD10P6F6 STD10PF06-1 STD10PF06T4 STD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N8F6 STD110NH02LT4 STD11N50M2 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N65M2 STD11N65M5
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