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SGNMA3T10004HVE

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SGNMA3T10004HVE 技術(shù)參數(shù)
  • SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓（典型）:27V 壓敏電壓（最大）:32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓（典型）:8V 壓敏電壓（最大）:9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGNMA3T20009 SGNMNC1054 SGNMNC1054E SGNMNC1054EK SGNMNC1054K SGNMNC1056 SGNMNC1056E SGNMNC1056EK SGNMNC1056K SGNMNC1059 SGNMNC1059E SGNMNC1059EK SGNMNC1059K SGNMNC1103 SGNMNC1103E SGNMNC1103EK SGNMNC1103K SGNMNC1106
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