SGNMNC1108E

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說明
操作

SGNMNC1108E
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
Sprague-Goodman
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
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SGNMNC1108E 技術(shù)參數(shù)

SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓（典型）:27V 壓敏電壓（最大）:32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓（典型）:8V 壓敏電壓（最大）:9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGNMNC1156EK SGNMNC1156K SGNMNC1206 SGNMNC1206E SGNMNC1206EK SGNMNC1206ENL SGNMNC1206K SGNMNC2106 SGNMNC2106E SGNMNC2106EK SGNMNC2106ENL SGNMNC2106K SGNMNC2106NL SGNMNC2106NLS SGNMNC2156 SGNMNC2156E SGNMNC2156EK SGNMNC2156K