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參數資料
| 型號： | S-8351A28MC-J2NT2G |
| 元件分類： | 穩(wěn)壓器 |
| 英文描述： | SWITCHING REGULATOR, 110 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDSO5 |
| 封裝： | LEAD FREE, SOT-23, 5 PIN |
| 文件頁數： | 14/50頁 |
| 文件大小： | 630K |
| 代理商： | S-8351A28MC-J2NT2G |
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STEP-UP, BUILT-IN / EXTERNAL FET PFM CONTROL SWITCHING REGULATOR / SWITCHING REGULATOR CONTROLLER
Rev.2.4_00
S-8351/8352 Series
Seiko Instruments Inc.
21
4. 2 Bipolar (NPN) Type
A circuit example using the CPH3210 (hFE = 200 to 560) from Sanyo Electric Co., Ltd. as a bipolar transistor
(NPN) is shown in Figure 24 to 26 in the “
Standard Circuits
”. The hFE value and Rb value of the bipolar
transistor determine the driving capacity to increase the output current using a bipolar transistor. A peripheral
circuit example of the transistor is shown in Figure 20.
Nch
Pch
VOUT
*1
IPK
EXT
Cb
2200 pF
Rb
1 k
*1.
VDD for D type.
Figure 20 External Transistor Peripheral Circuit
The recommended Rb value is around 1 k
. Actually, calculate the necessary base current (Ib) from the bipolar
transistor (hFE) using
FE
PK
b
h
I
=
, and select the smaller Rb value than
EXTH
b
OUT
b
I
4
.
0
I
7
.
0
V
R
=
*1.
A small Rb value can increase the output current, but the efficiency decreases. Since a current may flow on the
pulse and the voltage may drop due to wiring resistance or other factors in the actual circuit, therefore the
optimum Rb value should be determined by experiment.
Connecting the speed-up capacitor (Cb) in parallel with the Rb resistance as shown in Figure 20, decreases
switching loss and improves the efficiency.
The Cb value is calculated according to
7
.
0
f
R
π
2
1
C
osc
b
≤
.
Select a Cb value after performing sufficient evaluation since the optimum Cb value differs depending upon the
characteristics of the bipolar transistor.
*1.
For D type,
EXTH
b
DD
b
I
4
.
0
I
7
.
0
V
R
=
.
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