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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S-80808CNNB-B8A-T2 |
| 廠商： | Seiko Instruments Inc. |
| 英文描述： | ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| 中文描述： | 超小型封裝高精度電壓檢測(cè)器 |
| 文件頁數(shù)： | 24/54頁 |
| 文件大小： | 672K |
| 代理商： | S-80808CNNB-B8A-T2 |
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ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR
S-808xxC Series
Rev.3.2
_00
24
Seiko Instruments Inc.
Electrical Characteristics for Customized Products
1. S-80824KNUA-D2B-T2, S-80824KNY-x
Table 18
(Ta
=
25
°
C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Condition
Typ.
Max.
Unit
Test
circuit
1
2
1
3
Detection voltage
*1
Release voltage
Current consumption
Operating voltage
Output current
V
DET
+
V
DET
I
SS
V
DD
I
OUT
2.295
4.300
0.95
0.03
0.23
2.400
*2
4.400
0.8
0.24
0.50
2.505
4.500
2.4
10.0
V
μ
A
V
mA
V
DD
=
6.0 V
V
DD
=
0.95 V
V
DD
=
1.2 V
Output transistor,
Nch, V
DS
=
0.5 V
Output transistor,
Nch, V
DD
=
10.0 V, V
DS
=
10.0 V
Leakage current
I
LEAK
0.1
μ
A
Response time
Detection voltage
temperature
coefficient
*3
*1.
V
DET
: Actual detection voltage value
*2.
Specified detection voltage value (
V
DET(S)
)
*3.
The temperature change ratio in the detection voltage [mV/°C] is calculated by using the following equation.
[
Ta
Ta
*1.
Temperature change ratio of the detection voltage
*2.
Specified detection voltage
*3.
Detection voltage temperature coefficient
t
PLH
60
μ
s
1
DET
DET
V
Ta
V
Ta
=
40°C to 85°C
±
100
±
350
ppm/°C
]
(
)
[ ]
V
[
]
1000
C
ppm/
V
V
Typ.
V
C
mV/
V
DET
DET
DET(S)
DET
÷
°
×
=
°
3
*
2
*
*1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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