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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S-80742SN-D6-X |
| 廠商： | Seiko Instruments Inc. |
| 英文描述： | HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| 中文描述： | 高精度電壓檢測(cè)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | S-80742SN-D6-X |
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22
Seiko Instruments Inc.
Output current
I
OUT
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
0.23
0.50
mA
3
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.66
mV/
°
C
47. S-80755AL-EK-X (Detection voltage : 5.368 to 5.632 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
5.368
-V
×
0.02
1.0
0.23
5.500
-V
×
0.05
1.0
0.50
5.632
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.69
mV/
°
C
48. S-80761SL-ER-X (Detection voltage : 5.953 to 6.247 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
5.953
-V
×
0.02
1.0
0.23
6.100
-V
×
0.05
1.9
0.50
6.247
-V
×
0.08
3.6
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 7.5 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 4.8 V
V
DD
= 8.4 V
1.60
3.18
4.13
0.59
3.70
7.00
8.56
0.96
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.78
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
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PDF描述 |
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