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參數(shù)資料
| 型號： | S-80718AN-DF-X |
| 廠商： | Seiko Instruments Inc. |
| 英文描述： | HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
| 中文描述： | 高精度電壓檢測器 |
| 文件頁數(shù)： | 21/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 285K |
| 代理商： | S-80718AN-DF-X |
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20
Seiko Instruments Inc.
Output current
I
OUT
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
0.23
0.50
mA
3
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.59
mV/
°
C
41. S-80748AL-EC-X, S-80748AN/AN-JC-X (Detection voltage : 4.684 to 4.916 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.684
-V
×
0.02
1.0
0.23
4.800
-V
×
0.05
1.0
0.50
4.916
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.60
mV/
°
C
42. S-80749AL-ED-X, S-80749AN-JD-X (Detection voltage : 4.782 to 5.018 V)
(Unless otherwise specified : Ta=25
°
C)
Typ.
Max.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Unit
Test
circuit
1
1
Detection voltage
Hysteresis width
-V
DET
V
HYS
4.782
-V
×
0.02
1.0
0.23
4.900
-V
×
0.05
1.0
0.50
5.018
-V
×
0.08
3.0
15.0
V
V
Current consumption
Operating voltage
Output current
I
SS
V
DD
I
OUT
V
DD
= 6.0 V
μ
A
V
mA
2
1
3
Nch
V
DS
= 0.5 V
V
DD
= 1.2 V
V
DD
= 2.4 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
= 6.0 V
1.60
3.18
0.46
3.70
7.00
0.75
Pch
output)
V
DS
= 0.5 V
Ta=-30
°
C to 80
°
C
(CMOS
4
Temperature
characteristic of -
V
DET
±
0.61
mV/
°
C
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
-V
DET
Ta
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| S-80718SL-AF-X | HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| S-80718SL-AF-X | 制造商:SII 制造商全稱:Seiko Instruments Inc 功能描述:HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR |
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