參數(shù)資料
型號： RX1214B130Y
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Microwave power transistor(NPN 微波功率晶體管)
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CERAMIC, SOT-439A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： RX1214B130Y
1997 Feb 14
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistors
RX1214B80W; RX1214B130Y
Fig.3 Broadband test circuit.
Substrate: Epsilam 10.
Thickness: 0.635 mm.
Permittivity:
ε
r
= 10.
handbook, full pagewidth
MBC725
40 mm
30 mm
30 mm
40 mm
handbook, full pagewidth
MBC726
10.3
C4
C2
output
input
C3
L1
C1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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RX1214B300Y,114 功能描述:兩極晶體管 - BJT BULKTR TNS-MICP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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