參數(shù)資料
型號(hào)： RN1314
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 271K
代理商： RN1314
RN1314 RN1318
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1314,RN1315,RN1316
RN1317,RN1318
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2314~RN2318
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN1314~1318
V
CEO
50
V
RN1314
5
RN1315
6
RN1316
7
RN1317
15
Emitter-base voltage
RN1318
V
EBO
25
V
Collector current
I
C
100
mA
Collector power dissipation
P
C
100
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN1314~1318
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.006g
―
SC-70
2-2E1A
Unit: mm
Type No.
R1 (k
)
R2 (k
)
RN1314
1
10
RN1315
2.2
10
RN1316
4.7
10
RN1317
10
4.7
RN1318
47
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN1315 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1316 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1317 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1318 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1402 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RN1314(TE85L,F) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 1.0K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1315 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 2.2K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1315(TE85L,F) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1316 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1316(TE85L,F) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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