參數(shù)資料
型號(hào)： RM400DY-66S
廠商： POWEREX INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： HIGH POWER, HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
中文描述： 400 A, 3300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： MODULE-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 40K
代理商： RM400DY-66S
PRELIMINARY
Some parametric limits are subject to change.
HVDi (High Voltage Diode) Module
Aug.1998
66
3300
3300
2200
MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULE
RM400DY-66S
HIGH POWER, HIGH SPEED SWITCHING USE
INSULATED TYPE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tj = 25
°
C)
Voltage class
V
RRM
V
DRM
V
R(DC)
Symbol
Repetitive peak reverse voltage
Non-repetitive peak reverse voltage
Reverse DC voltage
Parameter
V
V
V
Unit
A
A
A
2
s
°
C
°
C
V
N · m
N · m
kg
I
DC
I
FMS
I
2t
T
j
T
stg
V
iso
—
—
DC current
Surge (non-repetitive) forward current
I
2
t for fusing
Junction temperature
Storage temperature
Isolation Voltage
Mounting torque
Weight
T
C
=25
°
C
1 cycle of half wave 60Hz, peak value, T
j
= 25
°
C start,
V
RM
= 0V
Value of one cycle surge current,
t
W
= 8.3ms, T
j
= 25
°
C start
—
—
Main terminal to case, 60Hz, sinusoidal, AC, 1min, rms
Main terminals screw : M6
Mounting screw : M6
Typical value
400
3200
4.27
10
4
–40 ~ +150
–40 ~ +125
6000
6.67 ~ 8.24
2.84 ~ 3.43
1.5
Symbol
Parameter
Conditions
Unit
Ratings
—
3.30
—
100
—
0.036
—
—
—
—
—
—
mA
V
μ
s
μ
C
°
C/W
°
C/W
Repetitive reverse current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Termal resistance
Contact thermal resistance
I
RRM
V
FM
t
rr
Q
rr
R
th(j-c)
R
th(c-f)
V
RRM
applied, V
RM
= V
RRM
I
FM
= 400A, t
W
≤
1ms
I
FM
= 400A, d
iF
/d
t
= –800A/
μ
s,
V
R
= 1650V
Junction to case (Per 1/2 module)
Case to fin, thermal grease applied (Per 1/2 module)
Min
Typ
Max
Symbol
Parameter
Test conditions
Limits
Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj = 25
°
C)
3
4.29
1.20
—
0.072
—
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PDF描述
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