參數(shù)資料
型號(hào)： RFD7N10LE
廠(chǎng)商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
中文描述： 7 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 361K
代理商： RFD7N10LE
5
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. RESISTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
600
400
200
0
0
5
10
15
20
25
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
100
75
50
25
0
20
(
)
)
---------------------
t, TIME (
μ
s)
80
(
)
)
---------------------
5.00
3.75
2.50
1.25
0
V
D
,
V
G
,
V
DD
= BV
DSS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
R
L
= 14.28
I
G(REF)
= 0.24mA
V
GS
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
RFD7N10LE, RFD7N10LESM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD7N10LESM 7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
RFF60P06 25A⒂, 60V, 0.030 Ohm, P-Channel Power MOSFET
RFF70N06 25A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel Power MOSFET
RFG40N10 CAP 180PF 200V 1% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
RFP40N10 CAP 470PF 200V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD7N10LESM 制造商:INTERSIL 制造商全稱(chēng):Intersil Corporation 功能描述:7A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
RFD8P03LSM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFD8P03LSM96 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RFD8P05 功能描述:MOSFET TO-251AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD8P05SM 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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