參數(shù)資料
型號： RFD3055
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： TO-251AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 82K
代理商： RFD3055
4-441
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT RFP3055 2 1 3 ;
rev 10/26/93
CA 12 8 0.540e-9
CB 15 14 0.540e-9
CIN 6 8 0.300e-9
DBODY 7 5 DBDMOD
DBREAK 5 11 DBKMOD
DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD
EBREAK 11 7 17 18 67.9
EDS 14 8 5 8 1
EGS 13 8 6 8 1
ESG 6 10 6 8 1
EVTO 20 6 18 8 1
IT 8 17 1
LDRAIN 2 5 1e-9
LGATE 1 9 4.61e-9
LSOURCE 3 7 4.61e-9
MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M=0.99
MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M=0.01
RBREAK 17 18 RBKMOD 1
RDRAIN 50 16 RDSMOD 1e-4
RGATE 9 20 7.23
RIN 6 8 1e9
RSCL1 5 51 RSLVCMOD 1e-6
RSCL2 5 50 1e3
RSOURCE 8 7 RDSMOD 108e-3
RVTO 18 19 RVTOMOD 1
S1A 6 12 13 8 S1AMOD
S1B 13 12 13 8 S1BMOD
S2A 6 15 14 13 S2AMOD
S2B 13 15 14 13 S2BMOD
VBAT 8 19 DC 1
VTO 21 6 0.5
ESCL 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)*1e6/30,6.5))}
.MODEL DBDMOD D (IS=4.33e-14 RS=2.78e-2 TRS1=1.10e-3 TRS2=5.19e-6 CJO=3.94e-10 TT=7.63e-8)
.MODEL DBKMOD D (RS=0.676 TRS1=1.94e-3 TRS2=-1.09e-6)
.MODEL DPLCAPMOD D (CJO=0.238e-9 IS=1e-30 N=10)
.MODEL MOSMOD NMOS (VTO=4.078 KP=12 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL RBKMOD RES (TC1=1.06e-3 TC2=-1.92e-6)
.MODEL RDSMOD RES (TC1=5.03e-3 TC2=1.53e-5)
.MODEL RSLVCMOD RES (TC1=2.2e-3 TC2=-5e-6)
.MODEL RVTOMOD RES (TC1=-5.02e-3 TC2=-9.16e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-6.5 VOFF=-3.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.5 VOFF=-6.5)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.50 VOFF=2.50)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=2.50 VOFF=-2.50)
.ENDS
NOTE: For further discussion of the PSPICE model consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFet Featuring Global Temperature
Options;
authored by William J. Hepp and C. Frank Wheatley.
1
GATE
LGATE
RGATE
EVTO
18
8
9
+
12
13
8
14
13
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
R
IN
C
IN
MOS1
MOS2
RDRAIN
DBREAK
EBREAK
DBODY
LDRAIN
DRAIN
RSOURCE
LSOURCE
SOURCE
RBREAK
RVTO
VBAT
+
IT
VTO
ESG
DPLCAP
ESCL
RSCL1
RSCL2
6
6
8
10
5
51
50
5
51
16
21
11
17
18
8
14
5
8
6
8
7
3
17
18
19
2
+
+
+
+
+
+
RFD3055, RFD3055SM, RFP3055
相關PDF資料
PDF描述
RFP3055 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP3055LE 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LE 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055LESM 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD3055SM 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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RFD3055LE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 11A TO-251AA
RFD3055LE_Q 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD3055LE_R4470 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFD3055LE_R4821 功能描述:MOSFET N-Ch Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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