參數(shù)資料
型號: RF2119
廠商: RF MICRO DEVICES INC
元件分類: 衰減器
英文描述: HIGH EFFICIENCY 2V POWER AMPLIFIER
中文描述: 800 MHz - 960 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝: PLASTIC, SSOP-16
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 82K
代理商: RF2119
Preliminary
2-61
RF2119
Rev A8 010720
2
P
Evaluation Board Layout
1.020” x 1.020”
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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RF2119PCBA 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:HIGH EFFICIENCY 2V POWER AMPLIFIER
RF212 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Image-Reject Front End for Dual or Tri-Band GSM Applications
RF2120-000 功能描述:可復位保險絲 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C
RF2121-000 功能描述:可復位保險絲 RoHS:否 制造商:Bourns 電流額定值: 電阻:7.5 Ohms 最大直流電壓: 保持電流:0.1 A 安裝風格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 跳閘電流:0.6 A 引線間隔: 系列:MF-PSHT 工作溫度范圍:- 40 C to + 125 C