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參數(shù)資料
| 型號： | RF2103P |
| 廠商： | RF MICRO DEVICES INC |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | MEDIUM POWER LINEAR AMPLIFIER |
| 中文描述： | 450 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SOIC-14 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | RF2103P |
2-7
RF2103P
Rev B1 010720
2
P
Gain and Pout vs. Pin
Vcc=Vb=3.6 V, 915 MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
Pin (dBm)
G
Pout (+25°C)
Gain (+25°C)
Pout (-40°C)
Gain (-40°C)
Pout (+85°C)
Gain (+85°C)
Gain and Pout vs. Pin
Vcc=Vb=4.8 V, 915 MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
Pin (dBm)
G
Pout (+25°C)
Gain (+25°C)
Pout (-40°C)
Gain (-40°C)
Pout (+85°C)
Gain (+85°C)
Efficiency and Icc vs. Pout
Vcc=Vb=3.6 V, 915 MHz
0
15
30
45
60
75
0
5
10
15
20
25
30
Pout (dBm)
E
10
60
110
160
210
260
I
Eff (+25°C)
Eff (-40°C)
Eff (+85°C)
Icc (+25°C)
Icc (-40°C)
Icc (+85°C)
Gain and Pout vs. Pin
Vcc=6.0 V, Vb=5.0 V, 915 MHz
0
5
10
15
20
25
30
35
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
Pin (dBm)
G
Pout (+25°C)
Gain (+25°C)
Pout (-40°C)
Gain (-40°C)
Pout (+85°C)
Gain (+85°C)
Efficiency and Icc vs. Pout
Vcc=6.0 V, Vb=5.0 V, 915 MHz
0
15
30
45
60
75
0
5
10
15
20
25
30
Pout (dBm)
E
10
60
110
160
210
260
I
Eff (+25°C)
Eff (-40°C)
Eff (+85°C)
Icc (+25°C)
Icc (-40°C)
Icc (+85°C)
Efficiency and Icc vs. Pout
Vcc=Vb=3.6 V, 915 MHz
0
15
30
45
60
75
0
5
10
15
20
25
30
Pout (dBm)
E
10
60
110
160
210
260
I
Eff (+25°C)
Eff (-40°C)
Eff (+85°C)
Icc (+25°C)
Icc (-40°C)
Icc (+85°C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF2104 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| RF2104PCBA-H | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| RF2104PCBA-L | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| RF2105 | HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER |
| RF2105L | HIGH POWER LINEAR UHF AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF2103P_06 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:MEDIUM POWER LINEAR AMPLIFIER |
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| RF2104 | 制造商:RFMD 制造商全稱:RF Micro Devices 功能描述:MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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