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您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374575 > RD28F3204W30B70 (INTEL CORP) 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) PDF資料下載

參數(shù)資料

型號：	RD28F3204W30B70
廠商：	INTEL CORP
元件分類：	存儲器
英文描述：	1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
中文描述：	SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80
封裝：	14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80
文件頁數(shù)：	82/82頁
文件大小：	749K
代理商：	RD28F3204W30B70

28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30

76

Preliminary

Partition and Erase-block Region Information

32 Mbit

–

T

–

B

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--02

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NOTES:

1. The variable P is a pointer which is defined at CFI offset 15h.

2. For a 16Mb the 1.8 Volt Intel

Wireless Flash memory z1 = 0100h = 256

256 * 256 = 64K, y1 = 17h = 23d

y1+1 = 24

24 * 64K = 1

MB

Partition 2

’

s offset is 0018 0000h bytes (000C 0000h words).

3. TPD - Top parameter device; BPD - Bottom parameter device.

4. Partition: Each partition is 4Mb in size. It can contain main blocks OR a combination of both main and

parameter blocks.

5. Partition Region: Symmetrical partitions form a partition region. (there are two partition regions, A. contains

all the partitions that are made up of main blocks only. B. contains the partition that is made up of the

parameter and the main blocks.

Address

16 Mbit

–

B

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75:

64Mbit

128Mbit

相關(guān)PDF資料	PDF描述
RD28F3204W30B85	1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F3204W30T70	1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
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RD28F3204W30T85	制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30)
RD28F3208C3B70	制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3208C3B90	制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye

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