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參數(shù)資料
| 型號： | RD16FS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 16 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 139K |
| 代理商： | RD16FS |
Data Sheet D18883EJ1V0DS
6
RD2.0FS to RD120FS
Fig.5 TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE CHARACTERISTICS
h
°
C
1
10
100
1000
Cu (100%): 125
°
C/W
i
P.C.B. (Glass Epoxy)
(50 mm x 50 mm x 1.6 mmt)
Free Air: 625
°
C/W
i
Cu (0%): 312
°
C/W
i
Cu (10%): 178
°
C/W
i
t - Time - s
Fig.6 SURGE REVERSE POWER RATINGS
t
T
- Pulse Width - s
P
R
P
R
100
1000
10000
1
t
T
10
T
= 25
°
C
Repetitive
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1
μ
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD6.2FS | 6.2 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD24FS | 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| RD9F0000C-759.1 | 9 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR |
| RD9F10000 | 9 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, CRIMP |
| RD9F100ES | 9 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, CRIMP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RD16HHF1 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W |
| RD16HHF1_08 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W |
| RD16HHF1_10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W |
| RD16HHF1_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,16W |
| RD16JS | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode |
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