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參數(shù)資料
| 型號： | RD100FM |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 中文描述： | 250 的低電流運(yùn)算，低反向泄露，低噪聲穩(wěn)壓二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 179K |
| 代理商： | RD100FM |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD100HHF1
Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W
RD100HHF1
MITSUBISHI ELECTRIC
REV.3 8 APRIL. 2004
2/7
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
TYPICAL CHARACTERISTICS
DRAIN DISSIPATION VS.
AMBIENT TEMPERATURE
0
40
80
120
160
200
0
AMBIENT TEMPERATURE Ta(°C)
40
80
120
160
200
C
P
Vds VS. Crss CHARACTERISTICS
0
10
20
30
40
0
10
20
30
Vds(V)
C
Ta=+25°C
f=1MHz
Vds VS. Coss CHARACTERISTICS
0
100
200
300
400
500
0
10
20
30
Vds(V)
C
Ta=+25°C
f=1MHz
Vds VS. Ciss CHARACTERISTICS
0
50
100
150
200
250
300
0
10
20
30
Vds(V)
C
Ta=+25°C
f=1MHz
Vds-Ids CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
Vds(V)
I
Ta=+25°C
Vgs=5.7V
Vgs=5.4V
Vgs=5.1V
Vgs=4.8V
Vgs=4.2V
Vgs=6V
Vgs=4.5V
Vgs-Ids CHARACTERISTICS
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
Vgs(V)
4
5
6
7
I
Ta=+25°C
Vds=10V
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PDF描述 |
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