參數(shù)資料
型號： RB751V40T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE
中文描述： SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： MINIATURE, CASE 477-02, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： RB751V40T1
RB751V40T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10
μ
A)
V
(BR)R
30
–
–
Volts
Total Capacitance
(V
R
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
C
T
–
2.0
2.5
pF
Reverse Leakage
(V
R
= 30 V)
I
R
–
300
500
nAdc
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
V
F
–
0.28
0.37
Vdc
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes:
3. t
p
t
rr
+10 V
2 k
820
0.1
μ
F
DUT
V
R
100
μ
H
0.1
μ
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
R(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; measured
at i
R(REC)
= 1 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
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參數(shù)描述
RB751V40T1/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diode
RB751V40T1G 功能描述:肖特基二極管與整流器 40V 200mW Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
RB751V40T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode
RB751V-40TE17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
RB751V-40TE-17 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY 40V 30MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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