參數(shù)資料
型號(hào): RB521S30T5
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Schottky Barrier Diode
中文描述: 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: MINIATURE, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大小: 32K
代理商: RB521S30T5
RB521S30T1
http://onsemi.com
2
100
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
1
100n
1n
5
10
15
20
25
20
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Total Capacitance
12
4
2
0
5
10
15
30
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
1m
10m
30
25
20
6
8
10
I
R
,
C
T
,
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
1
μ
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
I
F
,
1
Figure 1. Forward Characteristics
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
°
C
T
A
= 75
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 75
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 25
°
C
Figure 2. Reverse Characteristics
10n
14
16
18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RB751S40T1 Schottky Barrier Diode
RB751S40T1G Schottky Barrier Diode
RB751S40TD Schottky Barrier Diode
RB751V40T1 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE
RBHV5308DJ 32-Channel Serial To Parallel Converter With High Voltage Push-Pull Outputs
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參數(shù)描述
RB521S30T5G 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY DIODE RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
RB521S30TE61 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
RB521S-30TE61 功能描述:肖特基二極管與整流器 SCHOTTKY 30V 200MA RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
RB521S-30-TP 功能描述:肖特基二極管與整流器 30V 1A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
RB521S-40 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE