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參數(shù)資料
| 型號： | R2619ZC22K |
| 廠商： | WESTCODE SEMICONDUCTORS LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | 5227 A, 2200 V, SCR |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | R2619ZC22K |
WESTCODE
WESTCODE An IXYS Company
Distributed Gate Thyristor Types R2619ZC18# to R2619ZC25#
Data Sheet. Type R2619ZC18# to R2619ZC25# Issue 3
Page 11 of 12
March, 2003
Figure 17 - Square wave energy per pulse
Figure 18 - Square wave energy per pulse
1.00E-02
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
1.00E+02
1.00E+03
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
Pulse width (s)
Ener
gy
per
pulse
(J)
4kA
2kA
1kA
8kA
6kA
di/dt=100A/s
Tj=125°C
1.00E-01
1.00E+00
1.00E+01
1.00E+02
1.00E+03
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
Pulse width (s)
Ener
gy
per
pulse
(J)
Tj=125°C
di/dt=500A/s
4kA
2kA
1kA
8kA
6kA
Figure 19 - Maximum surge and I
2t Ratings
1000
10000
100000
Total
peak
hal
fsi
ne
surge
current
-
I
TSM
(A)
1.00E+06
1.00E+07
1.00E+08
M
a
x
imum
I
2 t
(A
2 s)
13
5
10
1
5
10
50 100
Duration of surge (ms)
Duration of surge (cycles @ 50Hz)
Tj (initial) = 125°C
I2t: VRRM
≤10V
I
2t: 60% V
RRM
ITSM: VRRM
≤10V
ITSM: 60% VRRM
Gate may temporarily lose control of conduction angle
R2619ZC18#-25#
Issue 3
R2619ZC18#-25#
Issue 3
R2619ZC18#-25#
Issue 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R2619ZC22L | 5227 A, 2200 V, SCR |
| R2619ZC24J | 5227 A, 2400 V, SCR |
| R2619ZC24K | 5227 A, 2400 V, SCR |
| R2619ZC24L | 5227 A, 2400 V, SCR |
| R285435000 | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| R261A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| R261B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| R262 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Wideband Voice Capture and Noise Reduction Solution |
| R26-202-RNLG | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRUCKREGLER ELEKTR 4 BIS 20MA 0.25ZOLL |
| R26-2-10.0A-25379-1 | 制造商:Airpax 功能描述: |
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