參數(shù)資料
型號： QSE214
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光敏三極管
英文描述： PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
中文描述： PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： QSE214
7/23/02
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2002 Fairchild Semiconductor Corporation
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE213 QSE214
NOTES:
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/
°
C above 25
°
C.
2. RMA
fl
ux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6 mm) minimum from housing.
5.
λ
= 950 nm GaAs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Operating Temperature
T
OPR
T
STG
-40 to +100
°
C
Storage Temperature
-40 to +100
°
C
Soldering Temperature (Iron)
(2,3,4)
T
SOL-I
240 for 5 sec
°
C
Soldering Temperature (Flow)
(2,3)
T
SOL-F
260 for 10 sec
°
C
Collector-Emitter Voltage
V
CE
30
V
Emitter-Collector Voltage
V
EC
5
V
Power Dissipation
(1)
P
D
100
mW
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Peak Sensitivity
λ
PS
Θ
I
D
—
880
—
nM
Reception Angle
—
±25
—
Deg.
Collector Emitter Dark Current
V
CE
= 1 mA
= 10 V, E
e
= 0
—
—
100
nA
Collector Emitter Breakdown
I
C
I
E
BV
CEO
30
—
—
V
Emitter Collector Breakdown
= 100 μA
BV
ECO
5
—
—
V
On-State Collector Current
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, V
CE
= 5 V
(QSE213)
I
C(ON)
0.2
—
1.50
mA
(QSE214)
1.00
—
—
Saturation Voltage
V
CE
= 0.5 mW/cm
= 5 V
(5)
E
e
= 0.1 mA
2
,
I
C
(5)
V
CE(SAT)
—
—
0.4
V
Rise Time
V
CC
= 5V, R
L
= 100
, I
C
= 1mA
t
r
—
8
—
μs
Fall Time
t
f
—
8
—
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PDF描述
QSE243 LOW LIGHT REJECTION PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR
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