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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | QSB363C.GR |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 471K |
| 代理商： | QSB363C.GR |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
September 2005
QSB363C Rev. 1.0.2
QSB363C
Subminiature
Plastic
Silicon
Infrared
Phototransistor
QSB363C
Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
Features
■ NPN Silicon Phototransistor
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Medium Wide Beam Angle, 24°
■ Clear Plastic Package
■ Matched Emitters: QEB363 or QEB373
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Description
The QSB363
C is a silicon phototransistor encapsulated in a clear
infrared T-3/4 package.
Package Dimensions
SCHEMATIC
EMITTER
COLLECTOR
0.074 (1.9)
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.055 (1.4)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
0.276 (7.0)
MIN
0.024 (0.6)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
EMITTER
NOTES:
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of
± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD723_0163 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| QSE123 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| QSE213C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSE214C | Plastic Silicon Infrared Phototransistor |
| QSFPO-013.0-01 | INTERCONNECTION DEVICE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QSB363CYR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363CZR | 功能描述:光電晶體管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363YR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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