參數(shù)資料
型號: QS5U26
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: Pch Treueh MOSFET with a Schottky barrier Diode
中文描述: P溝道MOSFET的Treueh與肖特基二極管
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 48K
代理商: QS5U26
QS5U26
Transistor
3/3
0
0.5
1
1.5
2
0.01
0.1
1
SOURCE-DRAIN VOLTAGE :
V
SD
(V)
Fig.7 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Current
R
I
D
10
Ta
=
125
°
C
Ta
=
75
°
C
Ta
=
25
°
C
Ta
=
25
°
C
V
GS
=
0V
Pulsed
0.01
0.1
1
10
100
10
100
1000
DRAIN-SOURCE VOLTAGE :
V
DS
(V)
Fig.8 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
C
10000
C
iss
C
oss
C
rss
°
C
Ta=0V
Z
V
GS
0.01
0.1
1
10
1
10
100
DRAIN CURRENT :
I
D
(A)
Fig.9 Switching Characteristics
S
1000
t
d(off)
t
r
t
d(on)
t
f
Ta=
V
DD
V
GS
C
R
Pul=
0
2
4
1
3
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.10 Dynamic Input
Characteristics
G
G
8
Ta=25
V
DD
=
C
I
D
=
1.5A
R
Pu=10
!
Measurement circuits
Fig.11 Switching Time Measurement Circuit
Fig.12 Switching Waveforms
Fig.13 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.14 Gate Charge Waveforms
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
90%
90%
90%
t
r
10%
10%
10%
50%
50%
Pulse Width
V
GS
V
DS
t
on
t
off
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
GS
I
G(Const)
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
V
G
V
GS
Charge
Q
g
Q
gs
Q
gd
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PDF描述
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參數(shù)描述
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