參數(shù)資料
型號(hào)： QRB1113
廠商： QT OPTOELECTRONICS
英文描述： REFLECTIVE OBJECT SENSORS
中文描述： 反省的對(duì)象傳感器
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 314K
代理商： QRB1113
PHOTOTRANSISTOR
REFLECTIVE OBJECT SENSOR
QRB1113 QRB1114
3/5/02 DS300350
Page 2 of 4
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
NOTES
1. Derate power dissipation linearly 1.67 mW/
°
C above 25
°
C.
2. RMA
fl
ux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6mm) minimum from housing.
5. D is the distance from the assembly face to the re
fl
ective surface.
6. Measured using an Eastman Kodak neutral test card with 90% diffused re
fl
ecting surface.
7. Cross talk is the photo current measured with current to the input diode and no re
fl
ecting surface.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise speci
fi
ed)
Parameter
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
T
OPR
T
STG
T
SOL-I
T
SOL-F
Rating
-40 to +85
-40 to +85
240 for 5 sec
Units
°
C
°
C
°
C
Soldering Temperature (Iron)
(2,3,4)
Soldering Temperature (Flow)
EMITTER
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
(2,3)
260 for 10 sec
°
C
I
F
50
5
100
mA
V
mW
V
P
R
Power Dissipation
SENSOR
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Collector Voltage
Collector Current
(1)
D
V
V
CEO
30
4.5
20
100
V
V
ECO
mA
mW
Power Dissipation
(1)
P
D
ELECTRICAL/OPTICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C)
Parameter
EMITTER
Forward Voltage
Reverse Current
Peak Emission Wavelength
SENSOR
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Dark Current
COUPLED
On-state Collector Current
QRB1113
QRB1114
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Rise Time
Fall Time
Cross Talk
Test Conditions
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Units
I
V
I
F
F
= 40 mA
= 5.0 V
= 20 mA
V
I
λ
F
—
—
—
—
—
940
1.7
100
—
V
μA
nm
R
R
PE
I
C
= 0.1 mA
= 10 V, I
= 1 mA
BV
BV
I
CEO
30
5
—
—
—
—
—
—
100
V
V
nA
I
E
ECO
V
CE
F
= 0 mA
CEO
I
F
= 40 mA, V
CE
(5,6)
= 5 V
D = .150"
I
C(ON)
mA
0.20
0.60
—
—
—
I
F
= 20 mA, I
C
= 0.5 mA
V
CE (SAT)
—
—
0.4
V
V
CE
= 5 V, R
I
C(ON)
L
= 100 V
= 5 mA
t
t
r
—
—
—
8
8
—
—
—
1.00
μs
f
I
F
= 40 mA, V
CE
= 5 V
(7)
I
CX
μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QRB1114 REFLECTIVE OBJECT SENSORS
QRB1133 PHOTOTRANSISTOR REFLECTIVE OBJECT SENSORS
QRB1134 PHOTOTRANSISTOR REFLECTIVE OBJECT SENSORS
QRB1133 REFLECTIVE OBJECT SENSORS
QRB1134 REFLECTIVE OBJECT SENSORS
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參數(shù)描述
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QRB1114 功能描述:光學(xué)開(kāi)關(guān)（反射型，光電晶體管輸出） PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感應(yīng)距離:1 mm 輸出設(shè)備:Phototransistor 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電壓:1.2 V 反向電壓:5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Reel
QRB1114 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOSWITCH ROHS COMPLIANT:NO
QRB1114 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOSWITCH OPTOCOUPLER ((NW))
QRB1114_Q 功能描述:光學(xué)開(kāi)關(guān)（反射型，光電晶體管輸出） PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感應(yīng)距離:1 mm 輸出設(shè)備:Phototransistor 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電壓:1.2 V 反向電壓:5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝:Reel
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