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參數(shù)資料
| 型號： | QM5HG-24 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MEDIUM POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 中功率開關使用非絕緣型 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | QM5HG-24 |
Feb.1999
Test conditions
V
CE
=1200V, V
EB
=2V
V
CB
=1200V, Emitter open
V
EB
=7V
I
C
=3A, I
B
=0.6A
I
C
=3A, V
CE
=1V
V
CC
=600V, I
C
=3A, I
B1
=0.6A, –I
B2
=1.2A
Transistor part
Diode part
Conductive grease applied
Min.
—
—
—
—
—
5
—
—
—
—
—
—
Symbol
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
CE (sat)
V
BE (sat)
h
FE
t
on
t
s
t
f
R
th (j-c) Q
R
th (j-c) R
R
th (c-f)
Conditions
V
EB
=2V
Emitter open
Collector open
DC
T
C
=25
°
C
DC
Mounting screw M3
Typical value
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tj=25
°
C, unless otherwise noted)
Symbol
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
I
B
T
j
T
stg
—
—
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector dissipation
Base current
Junction temperature
Storage temperature
Mounting torque
Weight
Ratings
1200
1200
7
5.0
100
2
–40~+150
–40~+125
0.59~0.98
6~10
5
Unit
V
V
V
A
W
A
°
C
°
C
N·m
kg·cm
g
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM5HG-24
MEDIUM POWER SWITCHING USE
NON-INSULATED TYPE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tj=25
°
C, unless otherwise noted)
Unit
mA
mA
mA
V
V
—
μ
s
μ
s
μ
s
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Limits
Parameter
Collector cutoff current
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current gain
Switching time
Thermal resistance
(junction to case)
Contact thermal resistance
(case to fin)
Typ.
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Max.
1.0
1.0
50
1.0
1.5
—
1.0
4.0
0.8
1.25
—
0.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM600HD-M | HIGH POWER SWITCHING USE NON-INSULATED TYPE |
| QM75CY-H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM75DY-24B | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM75DY-24 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM75DY-2HB | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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