- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361234 > Q67100-Q1152 (SIEMENS AG) 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q1152 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 8 -位動態(tài)隨機存儲器2k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 39/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q1152 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁當前第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
38
14. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
~
~
~
~
~
~
~
SPT03919
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
WE
RAS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
t
CKS
T0
T1
T2
~
~
T3
T4
~
~
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1184 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1186 | 3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1331 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1333 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1335 | 16 MBit Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q1184 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1186 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 4M x 4-Bit EDO-Dynamic RAM |
| Q67100-Q1323 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1327 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1331 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:16 MBit Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。