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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67000-S66 |
| 英文描述： | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
| 中文描述： | 晶體管MOSFET的貼片采用SOT 223 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | Q67000-S66 |
Data Sheet
1
05.99
SIPMOS Small-Signal Transistor
N channel
Enhancement mode
Logic Level
VGS(th) = 0.8...2.0V
Pin 1
Pin 2
Pin 3
Pin 4
G
D
S
D
Type
VDS
ID
RDS(on)
Package
Marking
BSP 295
50 V
1.8 A
0.3
SOT-223
BSP 295
Type
Ordering Code
Tape and Reel Information
BSP 295
Q67000-S066
E6327
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Values
Unit
Drain source voltage
VDS
50
V
Drain-gate voltage
RGS = 20 k
V
DGR
50
Gate source voltage
VGS
± 20
ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883
Class 1
Continuous drain current
TA = 34 C
ID
1.8
A
DC drain current, pulsed
TA = 25 C
IDpuls
7.2
Power dissipation
TA = 25 C
Ptot
1.8
W
BSP 295
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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