參數(shù)資料
型號(hào)： Q62702-F1359
廠商： SIEMENS AG
英文描述： NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna)
中文描述： NPN硅射頻晶體管（對(duì)于低噪音，低失真寬帶天線放大器）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： Q62702-F1359
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q62702-F137 PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS
Q62702-F1372 Silicon N Channel MOS FET Triode (For RF stages up to 300 MHz preferably in FM applications)
Q62702-F1377 NPN Silicon RF Transistor (For low-power amplifiers in mobile communication systems pager at collector currents from 0.2 to 2.5mA)
Q62702-F1378 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, low-power amplifiers in mobile communication systems)
Q62702-F1382 NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA)
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參數(shù)描述
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