參數(shù)資料
型號(hào)： Q62702-F1215
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs FET (N-channel dual-gate GaAs MES FET)
中文描述： 砷化鎵場效應(yīng)管（N溝道雙柵砷化鎵場效應(yīng)晶體管）
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 101K
代理商： Q62702-F1215
BGC420
High Frequency Products
10
Edition A13, 05/99
Table 1. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
X3
X4
R1
X2
R2
R3
R4
Q1
Vc
Vb
GND
RFin
RFout
Vr
Vcc
C2
L1
C3
Rx
V
2
3
V
Lp1
Lp2
Cp1
Cp2
Lp5
Lp3
Lp4
Lp6
Cp3
Lp7
Figure 4. Parasitic circuit elements for frequencies above 100MHz
Element
Value
Lp1
Lp2
Lp3
Lp4
Lp5
Lp6
Lp7
Cp1
Cp2
Cp3
0.58nH
0.56nH
0.23nH
0.05nH
0.53nH
0.47nH
1nH
134fF
136fF
6.9fF
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PDF描述
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