參數(shù)資料
型號(hào)： Q601E3V
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： 1 A, TRIAC, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 516K
代理商： Q601E3V
Triacs
Teccor Electronics, Inc.
2-5
Triacs
(972) 580-7777
VTM
IH
IGTM
PGM
PG(AV)
ITSM
dv/dt(c)
dv/dt
tgt
I2t
di/dt
Peak On-
State Voltage
at Maximum
Rated RMS
Current
TC = 25°C
(1) (5)
Volts
Holding
Current
(DC) Gate
Open
(1) (8) (12)
mAmps
Peak Gate
Trigger Current
(14)
Amps
Peak Gate
Power
Dissipation
(14)
IGT ≤ IGTM
Watts
Average
Gate
Power
Dissipa-
tion
Watts
Peak
One-Cycle
Surge
(9) (13)
Amps
Critical Rate-of-Rise
of Commutation
Voltage at Rated
VDRM & IT(RMS)
Commutating
di/dt = 0.54
Rated IT(RMS)/ms
Gate Unenergized
(1) (4) (13)
Volts/
Sec
Critical Rate-of-
Rise of Off-State
Voltage at Rated
VDRM Gate Open
(1)
Volts/
Sec
Gate
Controlled
Turn-On
Time
IGT = 200mA
0.1
s Rise
Time
(10) (17)
Sec
RMS
Surge
(Non-
Repeti-
tive) On-
State for
Period of
8.3ms For
Fusing
Amps2Sec
Maximum
Rate-of-
Change of
On-State
Current
IGT = 200mA
with 0.1
s
Rise Time
Amps/
Sec
60Hz
50Hz
TC =
100°C
TC =
125°C
MAX
TYP
MIN
TYP
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
350
225
3
60
70
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
350
225
3
60
70
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
300
200
3
60
70
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
300
200
3
60
70
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
250
175
3
60
70
1.6
50
1.8
20
0.5
120
100
4
250
175
3
60
70
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
400
275
4
166
100
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
400
275
4
166
100
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
350
225
4
166
100
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
350
225
4
166
100
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
300
200
4
166
100
1.6
70
2.0
20
0.5
200
167
4
300
200
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
400
275
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
400
275
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
350
225
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
350
225
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
300
200
4
166
100
1.8
100
2.0
20
0.5
200
167
5
300
200
4
166
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q601E4V 1 A, TRIAC, TO-92
Q6025R5V 25 A, TRIAC, TO-220AB
Q6X8E3V 0.8 A, TRIAC, TO-92
Q6X8E4V 0.8 A, TRIAC, TO-92
Q7006R5V 6 A, TRIAC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q601E4 功能描述:雙向可控硅 600V 1A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開(kāi)啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
Q60202-C209 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
Q60202-C228-S2 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
Q60202-C230-S2 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
Q60202-C234 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
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